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集微网消息，国家知识产权局消息显示，中芯国际“集成电路测试结构、其形成方法及其测试方法”专利公布，申请公布日为6月2日，申请公布号为CN116207077A。该专利的专利权人为中芯国际集成电路制造(上海)有限公司、中芯国际集成电路制造(北京)有限公司。

图片来源：国知局

专利摘要显示，一种集成电路测试结构、其形成方法及其测试方法，其中，集成电路测试结构包括：衬底；位于衬底上的第一测试结构，第一测试结构包括第一测试线以及与第一测试线两端分别连接的第一衬垫组和第二衬垫组；位于衬底上的第二测试结构，第二测试结构包括第二测试线以及与第二测试线连接的第三衬垫，所述第一测试线与第二测试线之间电隔离，所述第一测试线与第二测试线构成电容结构。

据悉，所述集成电路测试结构能够利用同一结构测试电阻和电容，提升测得的电阻和电容之间相关性的准确度。（校对/姜羽桐）